半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810190914.7

申请日：

2018-03-08

公开(公告)号：

CN109427673B

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

江国诚王志豪潘冠廷

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	公开	公开
2021-08-06	授权	授权
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20180308

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘思杰 ;

聂俊峰 ;

张惠政 .

中国专利 :CN111128738A ,2020-05-08

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113745113A ,2021-12-03

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

G·科恩 ;

M·A·古罗恩 ;

A·格里尔 ;

L·希 .

中国专利 :CN103871894A ,2014-06-18

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈天锐 .

中国专利 :CN117954494A ,2024-04-30

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡芳瑄 ;

吴振诚 ;

黄彦钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120813040A ,2025-10-17

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103871888A ,2014-06-18

[8]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

高金凤 ;

钱蔚宏 ;

王西宁 ;

程仁豪 .

中国专利 :CN110610924B ,2019-12-24

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

朱峯庆 ;

李威养 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113451307A ,2021-09-28

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

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