半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411058435.1
申请日
2024-08-02
公开(公告)号
CN119028947A
公开(公告)日
2024-11-26
发明(设计)人
许晋豪 郑安皓 林彦良 萧茹雄
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L23/528
IPC分类号
H01L23/522 H01L23/535 H01L23/48 H01L23/488 H01L21/768 H01L21/48
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;李伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件结构及其形成方法 [P]. 
陈坤意 ;
王怡情 ;
谢玮庭 ;
丁裕伟 ;
黄国钦 .
中国专利 :CN119521685A ,2025-02-25
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
杨柏峰 ;
杨世海 ;
贾汉中 ;
王圣祯 ;
林佑明 .
中国专利 :CN113517294A ,2021-10-19
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周智超 ;
庄正吉 ;
王志豪 ;
蔡庆威 .
中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
程仲良 .
中国专利 :CN113437065B ,2024-10-18
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
程仲良 .
中国专利 :CN113437065A ,2021-09-24
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
吴国铭 ;
李汝谅 ;
陈昇照 .
中国专利 :CN119400773A ,2025-02-07
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈承先 ;
郭庭豪 ;
江慧君 ;
赖昱嘉 .
中国专利 :CN118280968A ,2024-07-02
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
游力蓁 ;
苏焕杰 ;
黄麟淯 ;
庄正吉 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113517282B ,2024-12-24
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
林文凯 ;
程德恩 ;
张哲豪 ;
徐志安 ;
卢永诚 .
中国专利 :CN115440792A ,2022-12-06
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
刘家助 ;
林立凯 .
中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26