半导体器件结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411532121.0

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119521685A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

陈坤意王怡情谢玮庭丁裕伟黄国钦

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20241030

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

许晋豪 ;

郑安皓 ;

林彦良 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN119028947A ,2024-11-26

[2]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

文克刚 ;

吴于贝 ;

李奕璋 ;

陈鑫封 ;

萧琮介 ;

王良玮 ;

赖胤霖 ;

邱志斌 ;

李莉渝 ;

叶承浩 .

中国专利 :CN119852284A ,2025-04-18

[3]

半导体器件结构及其形成方法 [P].

詹景文 ;

黄昶智 ;

谢智仁 ;

王怡情 ;

曾国权 ;

黄国钦 ;

庄学理 .

中国专利 :CN121001345A ,2025-11-21

[4]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

王圣祯 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113517294A ,2021-10-19

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

程仲良 .

中国专利 :CN113437065B ,2024-10-18

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

程仲良 .

中国专利 :CN113437065A ,2021-09-24

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴国铭 ;

李汝谅 ;

陈昇照 .

中国专利 :CN119400773A ,2025-02-07

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈承先 ;

郭庭豪 ;

江慧君 ;

赖昱嘉 .

中国专利 :CN118280968A ,2024-07-02

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