半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411410702.7

申请日：

2024-10-10

公开(公告)号：

CN119400773A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

吴国铭李汝谅陈昇照

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/522 H01L23/488 H01L23/485 H01L23/538 H01L21/60 H01L25/065 H01L25/18 H10B80/00

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/528申请日:20241010
2025-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

王圣祯 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113517294A ,2021-10-19

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

许晋豪 ;

郑安皓 ;

林彦良 ;

萧茹雄 .

中国专利 :CN119028947A ,2024-11-26

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

王志豪 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN119894076A ,2025-04-25

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

程仲良 .

中国专利 :CN113437065B ,2024-10-18

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

程仲良 .

中国专利 :CN113437065A ,2021-09-24

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈承先 ;

郭庭豪 ;

江慧君 ;

赖昱嘉 .

中国专利 :CN118280968A ,2024-07-02

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517282B ,2024-12-24

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

林文凯 ;

程德恩 ;

张哲豪 ;

徐志安 ;

卢永诚 .

中国专利 :CN115440792A ,2022-12-06

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘家助 ;

林立凯 .

中国专利 :CN120711805A ,2025-09-26

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

林经祥 ;

林耕竹 ;

郑双铭 ;

蔡腾群 ;

彭辞修 ;

颜甫庭 .

中国专利 :CN109599438B ,2019-04-09

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