半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510731485.X

申请日：

2025-06-03

公开(公告)号：

CN120711806A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

高琬贻王俊尧李资良

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250603

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

程勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN105448725B ,2016-03-30

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

张峰铭 ;

赖高廷 ;

叶宇婕 ;

赖谚澄 .

中国专利 :CN120711807A ,2025-09-26

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103295953A ,2013-09-11

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112490128B ,2024-11-19

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