半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910867275.8

申请日：

2019-09-12

公开(公告)号：

CN112490128B

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

王楠

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

唐嘉

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112490128A ,2021-03-12

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

郑嵘健 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114512404A ,2022-05-17

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡国辉 .

中国专利 :CN105702724A ,2016-06-22

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

廖翊博 ;

杨凯杰 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN111261521A ,2020-06-09

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

什哈吉·B·摩尔 ;

张世杰 ;

李承翰 .

中国专利 :CN111129143A ,2020-05-08

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

卓鸿钧 ;

廖思豪 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 .

中国专利 :CN115116980A ,2022-09-27

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