半导体器件及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210059692.1

申请日：

2022-01-19

公开(公告)号：

CN114512404A

公开(公告)日：

2022-05-17

发明(设计)人：

陈冠霖江国诚朱熙甯郑嵘健王志豪程冠伦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L2910

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220119
2022-05-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112490128B ,2024-11-19

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡国辉 .

中国专利 :CN105702724A ,2016-06-22

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

廖翊博 ;

杨凯杰 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN111261521A ,2020-06-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

什哈吉·B·摩尔 ;

张世杰 ;

李承翰 .

中国专利 :CN111129143A ,2020-05-08

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

卓鸿钧 ;

廖思豪 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 .

中国专利 :CN115116980A ,2022-09-27

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡庆威 ;

廖翊博 ;

杨世海 ;

陈豪育 ;

黄禹轩 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113178486B ,2024-09-13

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