半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410707067.9

申请日：

2014-11-27

公开(公告)号：

CN105702724A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

蔡国辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-22	授权	授权
2016-06-22	公开	公开
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670879692 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014107070679 申请日:20141127

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

林千 ;

李堃毓 ;

沙哈吉·B.摩尔 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN110970487A ,2020-04-07

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

傅丰华 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN104064468A ,2014-09-24

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN104241355A ,2014-12-24

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

游力蓁 ;

苏焕杰 ;

黄麟淯 ;

庄正吉 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113517280B ,2024-06-25

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

林群雄 ;

吴忠政 ;

卡洛斯·H·迪亚兹 ;

王志豪 ;

谢文兴 ;

许义明 .

中国专利 :CN107039278A ,2017-08-11

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

吕育玮 ;

佐野谦一 ;

林执中 ;

李芳苇 ;

匡佳谦 ;

罗伊辰 ;

林佛儒 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN118983312A ,2024-11-19

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112490128B ,2024-11-19

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

郑嵘健 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN114512404A ,2022-05-17

← 1 2 3 4 5 →