半导体器件的形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310204990.6
申请日
2013-05-28
公开(公告)号
CN103295953A
公开(公告)日
2013-09-11
发明(设计)人
李乐
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
H01L21336
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
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半导体器件及其形成方法 [P]. 
赵海 .
中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03
[2]
半导体器件的形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
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半导体器件的形成方法 [P]. 
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[4]
半导体器件的形成方法 [P]. 
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王冬江 .
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半导体器件的形成方法 [P]. 
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半导体器件形成方法 [P]. 
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[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
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半导体器件及其形成方法 [P]. 
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半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
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半导体器件及其形成方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN103871888A ,2014-06-18