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半导体器件的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110877901.9
申请日：
2021-07-30
公开(公告)号：
CN113611660A
公开(公告)日：
2021-11-05
发明(设计)人：
刘张李 陈志伟
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L21762
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
周耀君
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-05 公开 公开
2021-11-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210730
共 50 条
[1]
半导体器件的形成方法 [P]. 
刘张李 ;
陈志伟 .
中国专利 :CN113611660B ,2024-03-22
[2]
半导体器件的形成方法 [P]. 
刘张李 ;
蒙飞 ;
刘宪周 .
中国专利 :CN112786524A ,2021-05-11
[3]
半导体器件的形成方法 [P]. 
李乐 .
中国专利 :CN103295953A ,2013-09-11
[4]
半导体器件位线形成方法、半导体器件 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN111048467B ,2024-10-22
[5]
半导体器件位线形成方法、半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111048467A ,2020-04-21
[6]
半导体器件的形成方法 [P]. 
吴亚贞 ;
刘宪周 .
中国专利 :CN105405810B ,2016-03-16
[7]
半导体器件的形成方法 [P]. 
邱何 ;
张峻豪 .
中国专利 :CN101577212A ,2009-11-11
[8]
半导体器件的形成方法 [P]. 
卜伟海 ;
洪中山 .
中国专利 :CN103681465A ,2014-03-26
[9]
半导体器件的形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN106328519B ,2017-01-11
[10]
半导体器件的形成方法 [P]. 
岳盛楠 ;
刘张李 ;
周琼 ;
陈志伟 .
中国专利 :CN118969717A ,2024-11-15
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