半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510824825.X

申请日：

2015-11-24

公开(公告)号：

CN105405810B

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

吴亚贞刘宪周

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2711563

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	公开	公开
2018-06-29	授权	授权
2016-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655084668 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:201510824825X 申请日:20151124

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

卜伟海 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103681465A ,2014-03-26

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107785265B ,2018-03-09

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105575815A ,2016-05-11

[4]

半导体器件位线形成方法、半导体器件 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111048467B ,2024-10-22

[5]

半导体器件位线形成方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111048467A ,2020-04-21

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

程勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN105448725B ,2016-03-30

[7]

半导体器件及形成方法 [P].

杨广立 ;

俞谦荣 ;

汪铭 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN104465379B ,2015-03-25

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105826194A ,2016-08-03

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

刘张李 ;

蒙飞 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN112786524A ,2021-05-11

← 1 2 3 4 5 →