半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210553295.6

申请日：

2012-12-18

公开(公告)号：

CN103871857B

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

张海洋王冬江

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583763568 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012105532956 申请日:20121218
2017-09-26	授权	授权
2014-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

林艺辉 .

中国专利 :CN105529253A ,2016-04-27

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

吴金刚 ;

倪景华 ;

黄晓辉 .

中国专利 :CN102487048B ,2012-06-06

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110858565B ,2020-03-03

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

朱永吉 .

中国专利 :CN111081547A ,2020-04-28

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103871888A ,2014-06-18

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104217992A ,2014-12-17

[7]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

邱慈云 ;

吕瑞霖 ;

林爱梅 .

中国专利 :CN103855023A ,2014-06-11

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103295953A ,2013-09-11

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