半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410513588.0

申请日：

2014-09-29

公开(公告)号：

CN105529253A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

林艺辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴圳添;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	公开	公开
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662097968 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014105135880 申请日:20140929
2018-07-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

吴金刚 ;

倪景华 ;

黄晓辉 .

中国专利 :CN102487048B ,2012-06-06

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110648970B ,2020-01-03

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103871857B ,2014-06-18

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110858565B ,2020-03-03

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109599337A ,2019-04-09

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

伏广才 .

中国专利 :CN113140502A ,2021-07-20

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109786248A ,2019-05-21

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

朱永吉 .

中国专利 :CN111081547A ,2020-04-28

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴亮 ;

董天化 ;

柳会雄 ;

金岚 .

中国专利 :CN106206405A ,2016-12-07

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