半导体器件和形成半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011350417.2

申请日：

2020-11-26

公开(公告)号：

CN113257816A

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

杨智铨徐国修张峰铭林建隆洪连嵘

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L2711

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20201126
2021-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱龙琨 ;

黄懋霖 ;

徐崇威 ;

余佳霓 ;

江国诚 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113380886A ,2021-09-10

[4]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

朱龙琨 ;

黄懋霖 ;

徐崇威 ;

余佳霓 ;

江国诚 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113380886B ,2025-01-14

[5]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

P·C·布兰特 ;

H-J·舒尔策 ;

A·R·施特格纳 .

中国专利 :CN105895699B ,2016-08-24

[6]

半导体器件和控制半导体器件的方法 [P].

铃木润一 .

中国专利 :CN112863558A ,2021-05-28

[7]

半导体器件和控制半导体器件的方法 [P].

铃木润一 .

日本专利 :CN112863558B ,2025-11-11

[8]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[9]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[10]

半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法 [P].

M.科托罗贾 ;

E.格里布尔 ;

J.G.拉文 ;

A.菲利波 .

中国专利 :CN107665882B ,2018-02-06

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