半导体器件和控制半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011252181.9

申请日：

2020-11-11

公开(公告)号：

CN112863558B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

铃木润一

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G11C5/02

IPC分类号：

G11C5/06 G11C5/14 H10B41/35 H10B41/41

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和控制半导体器件的方法 [P].

铃木润一 .

中国专利 :CN112863558A ,2021-05-28

[2]

半导体器件和半导体器件组件 [P].

辻内干夫 ;

多留谷政良 ;

竹内阳介 .

中国专利 :CN102208429A ,2011-10-05

[3]

半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN103250239A ,2013-08-14

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[6]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816B ,2025-01-14

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[8]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨智铨 ;

徐国修 ;

张峰铭 ;

林建隆 ;

洪连嵘 .

中国专利 :CN113257816A ,2021-08-13

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN110246845A ,2019-09-17

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

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