半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910143879.8

申请日：

2019-02-26

公开(公告)号：

CN110534570A

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

曹玟锡李戴晛李钟汉朴洪培李东洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

曹玟锡 ;

李戴晛 ;

李钟汉 ;

朴洪培 ;

李东洙 .

韩国专利 :CN110534570B ,2024-10-01

[2]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

让-皮埃尔·科林格 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 ;

王志豪 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN104218083B ,2014-12-17

[3]

半导体器件 [P].

田丸尊也 ;

津吹将志 ;

渡壁创 ;

佐佐木俊成 .

日本专利 :CN117712178A ,2024-03-15

[4]

半导体器件 [P].

宋宇彬 ;

李相遇 ;

赵珉熙 .

中国专利 :CN112071907A ,2020-12-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

雅各布·C·胡克 .

中国专利 :CN101558493A ,2009-10-14

[6]

半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法 [P].

薛珉洙 ;

卞卿溵 ;

金昌炫 ;

李殷奎 .

韩国专利 :CN119835999A ,2025-04-15

[7]

半导体器件 [P].

小野瑞城 ;

石原贵光 .

中国专利 :CN1591903A ,2005-03-09

[8]

半导体器件 [P].

白东官 ;

蒋在完 ;

赵天钦 .

韩国专利 :CN120456567A ,2025-08-08

[9]

半导体器件 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN202917488U ,2013-05-01

[10]

半导体器件 [P].

斋藤利彦 .

中国专利 :CN102763214B ,2012-10-31

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