半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411431565.5

申请日：

2024-10-14

公开(公告)号：

CN119835999A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

薛珉洙卞卿溵金昌炫李殷奎

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/85 H10D84/03

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

程丹辰

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

古武直也 ;

齐藤忍 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103681673A ,2014-03-26

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

[5]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吕俊颉 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

后藤贤一 ;

吴志强 ;

林佑明 .

中国专利 :CN109103084B ,2018-12-28

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

雅各布·泰施里布 ;

法尔克-乌尔里希·施泰因 .

:CN119767737A ,2025-04-04

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

雅各布·泰施里布 ;

法尔克-乌尔里希·施泰因 ;

奥尔里克·舒马赫 .

:CN119767743A ,2025-04-04

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

园田真久 ;

井口直 ;

角田弘昭 ;

坂上荣人 .

中国专利 :CN1490882A ,2004-04-21

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

← 1 2 3 4 5 →