半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210345515.6

申请日：

2012-09-17

公开(公告)号：

CN103022017A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

迪特尔·克拉埃斯贝恩德·埃塞内尔京特·普法伊费尔德特勒夫·威廉

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

李静;宫传芝

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448963288 IPC(主分类):H01L 23/64 专利申请号:2012103455156 申请日:20120917
2016-08-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

刘军 .

中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19

[2]

半导体结构以及半导体器件 [P].

刘浩文 ;

马万里 ;

闫正坤 .

中国专利 :CN119153538A ,2024-12-17

[3]

半导体结构以及半导体器件 [P].

林鼎佑 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN209119092U ,2019-07-16

[4]

半导体结构以及半导体器件 [P].

林鼎佑 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN208835055U ,2019-05-07

[5]

半导体结构以及半导体器件 [P].

闫正坤 ;

马万里 ;

刘浩文 ;

蔡红卫 .

中国专利 :CN223571579U ,2025-11-21

[6]

半导体结构以及半导体器件 [P].

刘浩文 ;

闫正坤 ;

马万里 .

中国专利 :CN119153539A ,2024-12-17

[7]

形成半导体器件结构的方法以及半导体器件结构 [P].

T·梅尔德 ;

R·里希特 .

中国专利 :CN108022930A ,2018-05-11

[8]

用于形成半导体器件的方法、以及半导体结构 [P].

周佳弘 ;

冯家馨 .

中国专利 :CN120936056A ,2025-11-11

[9]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

拉塞尔·A·本森 .

中国专利 :CN101952963B ,2011-01-19

[10]

半导体结构和半导体结构制造方法以及半导体器件 [P].

孙涛 ;

张帅 ;

冯家驹 .

中国专利 :CN118016698A ,2024-05-10

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