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用于形成半导体器件的方法、以及半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510987524.2
申请日：
2025-07-17
公开(公告)号：
CN120936056A
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
周佳弘 冯家馨
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/00 H10D30/67 H10D62/10
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-11 公开 公开
2025-11-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250717
共 50 条
[1]
半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 [P]. 
迪特尔·克拉埃斯 ;
贝恩德·埃塞内尔 ;
京特·普法伊费尔 ;
德特勒夫·威廉 .
中国专利 :CN103022017A ,2013-04-03
[2]
半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P]. 
尹汝俊 ;
李承炫 ;
李喜秀 .
韩国专利 :CN120834015A ,2025-10-24
[3]
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P]. 
奥利弗·黑尔蒙德 ;
彼得·伊尔西格勒 ;
塞巴斯蒂安·施密特 ;
汉斯-约阿希姆·舒尔策 ;
马丁纳·赛德尔-施密特 .
中国专利 :CN107527817B ,2017-12-29
[4]
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P]. 
W·莱纳特 ;
R·鲁普 ;
F·J·桑托斯罗德里格斯 ;
H-J·舒尔策 .
中国专利 :CN106449507A ,2017-02-22
[5]
半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P]. 
石志聪 ;
卢皓彦 ;
徐英杰 ;
斯帝芬鲁苏 ;
周淳朴 .
中国专利 :CN114284382B ,2024-06-14
[6]
半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P]. 
石志聪 ;
卢皓彦 ;
徐英杰 ;
斯帝芬鲁苏 ;
周淳朴 .
中国专利 :CN114284382A ,2022-04-05
[7]
半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 [P]. 
H-G·埃克尔 ;
M·米勒 .
中国专利 :CN105895700B ,2016-08-24
[8]
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P]. 
弗兰科·马里亚尼 ;
科比尼安·卡斯帕 .
中国专利 :CN107452716B ,2017-12-08
[9]
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P]. 
A.布雷梅泽尔 ;
A.布罗克迈尔 ;
R.克恩 ;
R.鲁普 ;
F.J.桑托斯罗德里格斯 ;
C.冯科布林斯基 .
中国专利 :CN107799429B ,2018-03-13
[10]
用于形成半导体器件的方法以及半导体器件 [P]. 
罗曼·罗特 ;
弗兰克·翁巴赫 .
中国专利 :CN107437511B ,2017-12-05
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