半导体结构以及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980106191.7

申请日：

2009-01-27

公开(公告)号：

CN101952963B

公开(公告)日：

2011-01-19

发明(设计)人：

拉塞尔·A·本森

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L27108 H01L21027

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

沈锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-19	公开	公开
2011-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056901672 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2009801061917 申请日:20090127
2012-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 [P].

迪特尔·克拉埃斯 ;

贝恩德·埃塞内尔 ;

京特·普法伊费尔 ;

德特勒夫·威廉 .

中国专利 :CN103022017A ,2013-04-03

[2]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

蔡劲 ;

E·里欧班端 ;

李宁 ;

宁德雄 ;

J-O·普卢查特 ;

D·K·萨达纳 .

中国专利 :CN105990391B ,2016-10-05

[3]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

S·M·尚克 ;

J·A·特拉帕索 ;

Y·L·尼诺米亚 ;

J·马林 ;

J·克莱因 ;

D·丹格 ;

B·W·波思 ;

M·D·拉格奎斯特 .

中国专利 :CN1828842A ,2006-09-06

[4]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

斯蒂芬·W.·贝德尔 ;

安东尼·G.·多梅尼库奇 ;

基思·E.·弗格尔 ;

埃芬迪·莱奥班顿 ;

德温德拉·K.·萨达纳 .

中国专利 :CN1716576A ,2006-01-04

[5]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

黄义钧 ;

陈奕志 ;

郭俊玮 .

中国专利 :CN112151497A ,2020-12-29

[6]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

艾伦·罗斯 ;

艾力克·苏宁 ;

徐英智 ;

尼克·萨姆拉 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN110610926B ,2019-12-24

[7]

半导体结构及形成该半导体结构的方法 [P].

刘孝诚 ;

施里什·纳拉西姆哈 ;

大西克典 ;

克恩·里姆 .

中国专利 :CN101241929A ,2008-08-13

[8]

半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置 [P].

丁敬秀 ;

金滕滕 .

中国专利 :CN105529245A ,2016-04-27

[9]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

陈龙阳 ;

武宏发 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114420641B ,2024-06-07

[10]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

董鹏 .

中国专利 :CN111785613B ,2025-03-28

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