半导体结构以及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610159010.9

申请日：

2016-03-18

公开(公告)号：

CN105990391B

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

蔡劲 E·里欧班端李宁宁德雄 J-O·普卢查特 D·K·萨达纳

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2715

IPC分类号：

H01L3344 H01L2177

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

酆迅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686678492 IPC(主分类):H01L 27/15 专利申请号:2016101590109 申请日:20160318
2019-07-26	授权	授权
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03

[2]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041A ,2021-08-03

[3]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

斯蒂芬·W.·贝德尔 ;

安东尼·G.·多梅尼库奇 ;

基思·E.·弗格尔 ;

埃芬迪·莱奥班顿 ;

德温德拉·K.·萨达纳 .

中国专利 :CN1716576A ,2006-01-04

[4]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

黄义钧 ;

陈奕志 ;

郭俊玮 .

中国专利 :CN112151497A ,2020-12-29

[5]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

吴保磊 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695355A ,2022-07-01

[6]

形成半导体结构的方法及其半导体结构 [P].

郑政玮 ;

D·K·萨达纳 ;

徐崑庭 .

中国专利 :CN105845678B ,2016-08-10

[7]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

拉塞尔·A·本森 .

中国专利 :CN101952963B ,2011-01-19

[8]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

S·M·尚克 ;

J·A·特拉帕索 ;

Y·L·尼诺米亚 ;

J·马林 ;

J·克莱因 ;

D·丹格 ;

B·W·波思 ;

M·D·拉格奎斯特 .

中国专利 :CN1828842A ,2006-09-06

[9]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

艾伦·罗斯 ;

艾力克·苏宁 ;

徐英智 ;

尼克·萨姆拉 ;

斯帝芬·鲁苏 .

中国专利 :CN110610926B ,2019-12-24

[10]

半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 [P].

迪特尔·克拉埃斯 ;

贝恩德·埃塞内尔 ;

京特·普法伊费尔 ;

德特勒夫·威廉 .

中国专利 :CN103022017A ,2013-04-03

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