半导体结构以及半导体结构的形成方法

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申请号
CN202011598015.4
申请日
2020-12-29
公开(公告)号
CN114695355A
公开(公告)日
2022-07-01
发明(设计)人
吴保磊 王晓光
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242 H01L2711507 H01L271159 H01L2722 H01L2724
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
郭凤杰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
陈龙阳 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN114420641B ,2024-06-07
[2]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
董鹏 .
中国专利 :CN111785613B ,2025-03-28
[3]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
陈龙阳 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN114420641A ,2022-04-29
[4]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
于有权 ;
吴公一 ;
张仕然 .
中国专利 :CN114284202B ,2025-01-10
[5]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
任佳 ;
陈卓凡 .
中国专利 :CN108206131B ,2018-06-26
[6]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
董鹏 .
中国专利 :CN111785613A ,2020-10-16
[7]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
赵波 .
中国专利 :CN106430078A ,2017-02-22
[8]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
陈龙阳 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN114420642B ,2024-08-02
[9]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
于有权 ;
吴公一 ;
张仕然 .
中国专利 :CN114284202A ,2022-04-05
[10]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
陈龙阳 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN114420642A ,2022-04-29