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半导体结构以及半导体结构的形成方法

被引：0
申请号：
CN202011043756.6
申请日：
2020-09-28
公开(公告)号：
CN114284202A
公开(公告)日：
2022-04-05
发明(设计)人：
于有权 吴公一 张仕然
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-22 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20200928
2022-04-05 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
于有权 ;
吴公一 ;
张仕然 .
中国专利 :CN114284202B ,2025-01-10
[2]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
汪维金 ;
李望 ;
陈时杰 ;
陈铭 ;
何丽美 ;
邱楚濠 .
中国专利 :CN120711749A ,2025-09-26
[3]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
陈昱 .
中国专利 :CN121126816A ,2025-12-12
[4]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
蔡方文 ;
陈奕伊 ;
吴振诚 ;
林志隆 ;
包天一 ;
郑双铭 ;
余振华 .
中国专利 :CN100550316C ,2007-10-31
[5]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
李玉堂 ;
汪维金 ;
李望 ;
王子健 ;
谢静怡 ;
蒋小涵 .
中国专利 :CN120769558A ,2025-10-10
[6]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
陈龙阳 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN114420641B ,2024-06-07
[7]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
董鹏 .
中国专利 :CN111785613B ,2025-03-28
[8]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
吴保磊 ;
王晓光 .
中国专利 :CN114695355A ,2022-07-01
[9]
半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P]. 
陈龙阳 ;
武宏发 ;
吴公一 .
中国专利 :CN114420641A ,2022-04-29
[10]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
任佳 ;
陈卓凡 .
中国专利 :CN108206131B ,2018-06-26
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