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半导体结构的形成方法和半导体结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510970276.0
申请日：
2025-07-14
公开(公告)号：
CN120769558A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
李玉堂 汪维金 李望 王子健 谢静怡 蒋小涵
申请人：
广州增芯科技有限公司
申请人地址：
511356 广东省广州市增城区宁西街创优路333号
IPC主分类号：
H10D84/01
IPC分类号：
H10D84/85
代理机构：
上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343
代理人：
张菁
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 公开 公开
2025-10-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250714
共 50 条
[1]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
汪维金 ;
李望 ;
陈时杰 ;
陈铭 ;
何丽美 ;
邱楚濠 .
中国专利 :CN120711749A ,2025-09-26
[2]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
陈昱 .
中国专利 :CN121126816A ,2025-12-12
[3]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
E·J·诺瓦克 ;
B·A·安德森 .
中国专利 :CN101257030B ,2008-09-03
[4]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
于有权 ;
吴公一 ;
张仕然 .
中国专利 :CN114284202B ,2025-01-10
[5]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
于有权 ;
吴公一 ;
张仕然 .
中国专利 :CN114284202A ,2022-04-05
[6]
形成半导体结构的方法和半导体结构 [P]. 
辛格·古尔巴格 ;
王柏仁 ;
庄坤苍 .
中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03
[7]
形成半导体结构的方法和半导体结构 [P]. 
辛格·古尔巴格 ;
王柏仁 ;
庄坤苍 .
中国专利 :CN113206041A ,2021-08-03
[8]
半导体结构的形成方法 [P]. 
胡华勇 .
中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22
[9]
半导体结构的形成方法 [P]. 
李广济 .
中国专利 :CN119108337B ,2025-12-02
[10]
半导体结构的形成方法 [P]. 
李广济 .
中国专利 :CN119108337A ,2024-12-10
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