共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411245400.9
申请日：
2024-09-05
公开(公告)号：
CN119108337B
公开(公告)日：
2025-12-02
发明(设计)人：
李广济
申请人：
浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址：
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20240905 |
| 2024-12-10 | 公开 | 公开 |
| 2025-12-02 | 授权 | 授权 |