半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410736246.5

申请日：

2014-12-04

公开(公告)号：

CN105719996B

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

邓浩徐建华肖莉红

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-21	授权	授权
2016-06-29	公开	公开
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671888658 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014107362465 申请日:20141204

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 ;

王百钱 .

中国专利 :CN102931074A ,2013-02-13

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104217933A ,2014-12-17

[6]

半导体结构及形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103632977B ,2014-03-12

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

张军超 ;

徐政业 .

中国专利 :CN113539971B ,2021-10-22

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105870005B ,2016-08-17

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105990341B ,2016-10-05

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

米红星 ;

王鹏 ;

李洋 ;

吴琼 ;

郑磊 .

中国专利 :CN117790400A ,2024-03-29

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