半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410627905.1

申请日：

2014-11-10

公开(公告)号：

CN105655398A

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

何永根

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669294283 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014106279051 申请日:20141110
2016-06-08	公开	公开
2020-07-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160608

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105870005B ,2016-08-17

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105990341B ,2016-10-05

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

雒曲 ;

谢文浩 .

中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

张军超 ;

徐政业 .

中国专利 :CN113539971B ,2021-10-22

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

米红星 ;

王鹏 ;

李洋 ;

吴琼 ;

郑磊 .

中国专利 :CN117790400A ,2024-03-29

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105826236A ,2016-08-03

[10]

半导体结构形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN105632908B ,2016-06-01

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