半导体结构和形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810082242.4

申请日：

2008-02-26

公开(公告)号：

CN101257030B

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

E·J·诺瓦克 B·A·安德森

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184 H01L21762

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

于静;李峥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-03-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749179141 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL2008100822424 登记生效日:20170309 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:超科技公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国加利福尼亚州
2019-03-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20080226 授权公告日:20101229 终止日期:20180226
2010-12-29	授权	授权
2008-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法和半导体结构 [P].

李玉堂 ;

汪维金 ;

李望 ;

王子健 ;

谢静怡 ;

蒋小涵 .

中国专利 :CN120769558A ,2025-10-10

[2]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03

[3]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041A ,2021-08-03

[4]

半导体结构的形成方法和半导体结构 [P].

汪维金 ;

李望 ;

陈时杰 ;

陈铭 ;

何丽美 ;

邱楚濠 .

中国专利 :CN120711749A ,2025-09-26

[5]

半导体结构的形成方法和半导体结构 [P].

陈昱 .

中国专利 :CN121126816A ,2025-12-12

[6]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

于有权 ;

吴公一 ;

张仕然 .

中国专利 :CN114284202B ,2025-01-10

[7]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

于有权 ;

吴公一 ;

张仕然 .

中国专利 :CN114284202A ,2022-04-05

[8]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

李智銘 ;

廖宏哲 ;

庄坤苍 ;

陆为中 .

中国专利 :CN106803493A ,2017-06-06

[9]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

赖启胜 ;

彭宇凡 ;

陈立庭 ;

吕侑珊 ;

吴于贝 ;

孙维中 ;

彭远清 ;

高魁佑 ;

林士尧 ;

林志翰 ;

刘佩宜 ;

颜精一 .

中国专利 :CN113345891B ,2025-02-11

[10]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

蔡智鹏 .

中国专利 :CN118016642A ,2024-05-10

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