半导体结构和形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410070574.X

申请日：

2024-01-18

公开(公告)号：

CN118016642A

公开(公告)日：

2024-05-10

发明(设计)人：

庄学理吴伟成蔡智鹏

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L21/66 H01L23/48 H01L23/528 H01L21/48

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/544申请日:20240118
2024-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

李智銘 ;

廖宏哲 ;

庄坤苍 ;

陆为中 .

中国专利 :CN106803493A ,2017-06-06

[2]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

赖启胜 ;

彭宇凡 ;

陈立庭 ;

吕侑珊 ;

吴于贝 ;

孙维中 ;

彭远清 ;

高魁佑 ;

林士尧 ;

林志翰 ;

刘佩宜 ;

颜精一 .

中国专利 :CN113345891B ,2025-02-11

[3]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03

[4]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

李昀昇 ;

杨芷欣 ;

张智杰 ;

王茂南 ;

王冠勋 ;

施养鑫 .

中国专利 :CN119421484A ,2025-02-11

[5]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

梁顺鑫 ;

蔡纯怡 ;

张志维 ;

黄俊贤 ;

黄鸿仪 ;

林耕竹 ;

张根育 ;

王菘豊 ;

朱家宏 ;

张旭凯 .

中国专利 :CN113161321B ,2024-10-15

[6]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

王郁雯 ;

曾国权 .

中国专利 :CN110838465A ,2020-02-25

[7]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

林杏芝 ;

刘人诚 .

中国专利 :CN112151675A ,2020-12-29

[8]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041A ,2021-08-03

[9]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

陈健源 ;

林芮萍 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN113363155A ,2021-09-07

[10]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

陈健源 ;

林芮萍 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN113363155B ,2024-05-07

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