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半导体结构和形成半导体结构的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011309334.9
申请日：
2020-11-20
公开(公告)号：
CN113363155A
公开(公告)日：
2021-09-07
发明(设计)人：
陈健源 林芮萍 李振铭 杨复凯 王美匀
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978 H01L29417 H01L218238 H01L27092
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-09-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20201120
2021-09-07 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
赖启胜 ;
彭宇凡 ;
陈立庭 ;
吕侑珊 ;
吴于贝 ;
孙维中 ;
彭远清 ;
高魁佑 ;
林士尧 ;
林志翰 ;
刘佩宜 ;
颜精一 .
中国专利 :CN113345891B ,2025-02-11
[2]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
陈健源 ;
林芮萍 ;
李振铭 ;
杨复凯 ;
王美匀 .
中国专利 :CN113363155B ,2024-05-07
[3]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
赖启胜 ;
彭宇凡 ;
陈立庭 ;
吕侑珊 ;
吴于贝 ;
孙维中 ;
彭远清 ;
高魁佑 ;
林士尧 ;
林志翰 ;
刘佩宜 ;
颜精一 .
中国专利 :CN113345891A ,2021-09-03
[4]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
高敏峰 ;
杨敦年 ;
林杏芝 ;
刘人诚 .
中国专利 :CN112151675A ,2020-12-29
[5]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
高敏峰 ;
杨敦年 ;
林杏芝 ;
刘人诚 .
中国专利 :CN112151675B ,2024-07-16
[6]
半导体晶粒、半导体结构、及形成半导体结构的方法 [P]. 
黄晖闵 ;
郑明达 ;
薛长荣 ;
林威宏 ;
詹凯钧 ;
江琬瑜 .
中国专利 :CN115565995A ,2023-01-03
[7]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN105448680A ,2016-03-30
[8]
半导体结构和半导体结构的形成方法 [P]. 
北村陽介 .
中国专利 :CN110429059A ,2019-11-08
[9]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
李智銘 ;
廖宏哲 ;
庄坤苍 ;
陆为中 .
中国专利 :CN106803493A ,2017-06-06
[10]
半导体结构和形成半导体结构的方法 [P]. 
庄学理 ;
吴伟成 ;
蔡智鹏 .
中国专利 :CN118016642A ,2024-05-10
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