半导体晶粒、半导体结构、及形成半导体结构的方法

被引：0

申请号：

CN202210961300.0

申请日：

2022-08-10

公开(公告)号：

CN115565995A

公开(公告)日：

2023-01-03

发明(设计)人：

黄晖闵郑明达薛长荣林威宏詹凯钧江琬瑜

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L23528 H01L218238

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	公开	公开
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20220810

共 50 条

[1]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

赖启胜 ;

彭宇凡 ;

陈立庭 ;

吕侑珊 ;

吴于贝 ;

孙维中 ;

彭远清 ;

高魁佑 ;

林士尧 ;

林志翰 ;

刘佩宜 ;

颜精一 .

中国专利 :CN113345891B ,2025-02-11

[2]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

陈健源 ;

林芮萍 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN113363155A ,2021-09-07

[3]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

陈健源 ;

林芮萍 ;

李振铭 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN113363155B ,2024-05-07

[4]

半导体结构和形成半导体结构的方法 [P].

赖启胜 ;

彭宇凡 ;

陈立庭 ;

吕侑珊 ;

吴于贝 ;

孙维中 ;

彭远清 ;

高魁佑 ;

林士尧 ;

林志翰 ;

刘佩宜 ;

颜精一 .

中国专利 :CN113345891A ,2021-09-03

[5]

半导体结构、半导体装置及半导体结构的制备方法 [P].

方羊 ;

卢志远 ;

樊园 ;

周浩磊 ;

全昌镐 .

中国专利 :CN120933271A ,2025-11-11

[6]

半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

杨海宁 ;

德温德拉·K.·萨达纳 ;

布赖恩·J.·格林 ;

乔尔·P.·德索扎 ;

基思·爱德华·弗格尔 .

中国专利 :CN101005052A ,2007-07-25

[7]

形成半导体结构的方法及半导体结构 [P].

洪政源 ;

田伟辰 ;

黄俊凯 ;

叶昌鑫 ;

吴以德 .

中国专利 :CN112582252A ,2021-03-30

[8]

半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

孙雨萌 .

中国专利 :CN115346863A ,2022-11-15

[9]

半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

山·D·唐 ;

斯科特·E·西里斯 ;

惠特尼·L·韦斯特 ;

罗布·B·古德温 ;

尼尚特·辛哈 .

中国专利 :CN107275282A ,2017-10-20

[10]

形成半导体结构的方法及半导体结构 [P].

叶昌鑫 ;

黄俊凯 ;

洪政源 ;

田伟辰 ;

吴以德 .

中国专利 :CN112908846B ,2024-06-11

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