半导体结构及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710243903.6

申请日：

2012-03-13

公开(公告)号：

CN107275282A

公开(公告)日：

2017-10-20

发明(设计)人：

山·D·唐斯科特·E·西里斯惠特尼·L·韦斯特罗布·B·古德温尼尚特·辛哈

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532 H01L4500

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

孙宝成

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20171020
2017-10-20	公开	公开
2017-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20120313

共 50 条

[1]

形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构 [P].

山·D·唐 ;

斯科特·E·西里斯 ;

惠特尼·L·韦斯特 ;

罗布·B·古德温 ;

尼尚特·辛哈 .

中国专利 :CN103503116A ,2014-01-08

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 .

中国专利 :CN113851579A ,2021-12-28

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 .

中国专利 :CN113851579B ,2025-02-25

[4]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

陈文丽 ;

蔡明蒲 .

中国专利 :CN114188283A ,2022-03-15

[5]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

陈文丽 ;

蔡明蒲 .

中国专利 :CN114188283B ,2024-06-21

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114121811B ,2024-06-28

[7]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 ;

夏文斌 ;

张宏 ;

王能语 ;

李德涛 .

中国专利 :CN113838883A ,2021-12-24

[8]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

舒月姣 ;

蔡明蒲 .

中国专利 :CN114188284A ,2022-03-15

[9]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

胡敏锐 ;

吴楠 ;

郑玉宏 ;

黎冠杰 ;

蒋懿 .

中国专利 :CN120730730A ,2025-09-30

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114121811A ,2022-03-01

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