半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010589031.0

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN113838883A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

杨成成夏文斌张宏王能语李德涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2722

IPC分类号：

H01L4308 H01L4310 H01L4312

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20200624
2021-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 .

中国专利 :CN113851579A ,2021-12-28

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 .

中国专利 :CN113851579B ,2025-02-25

[3]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

王凌翔 .

中国专利 :CN114078776A ,2022-02-22

[4]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

王凌翔 .

中国专利 :CN114078777A ,2022-02-22

[5]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘晓阳 .

中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30

[6]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

神兆旭 ;

李阳 ;

郭俊伟 ;

尹悦 .

中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30

[7]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李智 ;

张小燕 ;

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN117525111A ,2024-02-06

[8]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

邢程 ;

王清蕴 .

中国专利 :CN113314490A ,2021-08-27

[9]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

于业笑 .

中国专利 :CN113964089B ,2024-05-17

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