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半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010813668.3
申请日：
2020-08-13
公开(公告)号：
CN114078776A
公开(公告)日：
2022-02-22
发明(设计)人：
王凌翔
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L218242
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20200813 |
| 2022-02-22 | 公开 | 公开 |