半导体结构及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710002380.2

申请日：

2007-01-15

公开(公告)号：

CN101005052A

公开(公告)日：

2007-07-25

发明(设计)人：

杨海宁德温德拉·K.·萨达纳布赖恩·J.·格林乔尔·P.·德索扎基思·爱德华·弗格尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2902 H01L2978 H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-25	公开	公开
2007-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-03-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

周步康 .

中国专利 :CN110875240B ,2024-09-13

[2]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

李婷 ;

周厚宏 .

中国专利 :CN113707602A ,2021-11-26

[3]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

廖楚贤 ;

朱煜寒 ;

应战 .

中国专利 :CN113937059A ,2022-01-14

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN114823898A ,2022-07-29

[5]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114678330A ,2022-06-28

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

曹新满 ;

吴耆贤 ;

黄炜 .

中国专利 :CN117995758A ,2024-05-07

[7]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

周步康 .

中国专利 :CN110875240A ,2020-03-10

[8]

形成半导体结构的方法和半导体结构 [P].

辛格·古尔巴格 ;

王柏仁 ;

庄坤苍 .

中国专利 :CN113206041B ,2025-06-03

[9]

半导体晶粒、半导体结构、及形成半导体结构的方法 [P].

黄晖闵 ;

郑明达 ;

薛长荣 ;

林威宏 ;

詹凯钧 ;

江琬瑜 .

中国专利 :CN115565995A ,2023-01-03

[10]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

斯蒂芬·W.·贝德尔 ;

安东尼·G.·多梅尼库奇 ;

基思·E.·弗格尔 ;

埃芬迪·莱奥班顿 ;

德温德拉·K.·萨达纳 .

中国专利 :CN1716576A ,2006-01-04

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