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半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010674232.0
申请日：
2020-07-14
公开(公告)号：
CN113937059A
公开(公告)日：
2022-01-14
发明(设计)人：
廖楚贤
朱煜寒
应战
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L23528
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20200714 |
| 2022-01-14 | 公开 | 公开 |