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半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110984437.3
申请日：
2021-08-25
公开(公告)号：
CN113707602A
公开(公告)日：
2021-11-26
发明(设计)人：
李婷
周厚宏
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L23528
H01L218242
H01L27108
代理机构：
北京名华博信知识产权代理有限公司 11453
代理人：
鲁盛楠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-11-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-12-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210825 |