半导体结构及形成半导体结构的方法

被引：0

申请号：

CN202211020661.1

申请日：

2022-08-24

公开(公告)号：

CN115346863A

公开(公告)日：

2022-11-15

发明(设计)人：

孙雨萌

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王花丽;王黎延

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-15	公开	公开
2022-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20220824

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

冯永波 ;

朱红波 ;

王厚有 ;

刘益东 .

中国专利 :CN111446156A ,2020-07-24

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

汪刘建 ;

李政宁 ;

陈子钊 .

中国专利 :CN117855270A ,2024-04-09

[3]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

高上 .

中国专利 :CN114334791A ,2022-04-12

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

黄兴凯 ;

边雅娜 .

中国专利 :CN117939888A ,2024-04-26

[5]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

高上 .

中国专利 :CN114334791B ,2024-10-25

[6]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

汪刘建 ;

陈子钊 .

中国专利 :CN117790502A ,2024-03-29

[7]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136A ,2025-02-18

[8]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136B ,2025-10-10

[9]

半导体晶粒、半导体结构、及形成半导体结构的方法 [P].

黄晖闵 ;

郑明达 ;

薛长荣 ;

林威宏 ;

詹凯钧 ;

江琬瑜 .

中国专利 :CN115565995A ,2023-01-03

[10]

半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

杨海宁 ;

德温德拉·K.·萨达纳 ;

布赖恩·J.·格林 ;

乔尔·P.·德索扎 ;

基思·爱德华·弗格尔 .

中国专利 :CN101005052A ,2007-07-25

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