共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
申请号：
CN202011056573.8
申请日：
2020-09-30
公开(公告)号：
CN114334791A
公开(公告)日：
2022-04-12
发明(设计)人：
高上
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L218242
H01L27108
代理机构：
北京律智知识产权代理有限公司 11438
代理人：
孙宝海;袁礼君
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-04-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20200930 |
| 2022-04-12 | 公开 | 公开 |