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半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110214102.3
申请日：
2021-02-25
公开(公告)号：
CN113035868B
公开(公告)日：
2021-06-25
发明(设计)人：
穆天蕾
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-06-25 | 公开 | 公开 |
| 2022-05-31 | 授权 | 授权 |
| 2021-07-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210225 |