半导体结构的形成方法及半导体结构

被引：0

申请号：

CN202210717860.1

申请日：

2022-06-20

公开(公告)号：

CN115116945A

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

武宏发夏军孙耀金永跃李昊

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23538 H01L2906

代理机构：

北京名华博信知识产权代理有限公司 11453

代理人：

刘馨月

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

杨谦 .

中国专利 :CN117995674A ,2024-05-07

[2]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01

[3]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

武宏发 ;

夏军 ;

孙耀 ;

佟璐 ;

薛晖 .

中国专利 :CN115116944A ,2022-09-27

[4]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

穆天蕾 .

中国专利 :CN113035868B ,2021-06-25

[5]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

朱留洋 .

中国专利 :CN115020344A ,2022-09-06

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

武宏发 ;

夏军 ;

孙耀 ;

崔静思 .

中国专利 :CN115064486A ,2022-09-16

[7]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114446869B ,2024-06-07

[8]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

甘露 ;

郑春生 ;

师兰芳 ;

张文广 ;

张华 .

中国专利 :CN113496874B ,2024-04-19

[9]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

张东雪 ;

林格伟 .

中国专利 :CN113053805B ,2021-06-29

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

杨军 ;

章学安 .

中国专利 :CN118919400A ,2024-11-08

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