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半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
申请号：
CN202210700271.2
申请日：
2022-06-20
公开(公告)号：
CN115064486A
公开(公告)日：
2022-09-16
发明(设计)人：
武宏发
夏军
孙耀
崔静思
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L2348
H01L23528
H01L23532
代理机构：
北京名华博信知识产权代理有限公司 11453
代理人：
刘馨月
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-10-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20220620 |
| 2022-09-16 | 公开 | 公开 |