半导体结构的形成方法及半导体结构

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申请号
CN202210971308.5
申请日
2022-08-15
公开(公告)号
CN115050702A
公开(公告)日
2022-09-13
发明(设计)人
郭帅
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L27108
代理机构
北京名华博信知识产权代理有限公司 11453
代理人
朱影
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
杨谦 .
中国专利 :CN117995674A ,2024-05-07
[2]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
徐正弘 .
中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01
[3]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
武宏发 ;
夏军 ;
孙耀 ;
佟璐 ;
薛晖 .
中国专利 :CN115116944A ,2022-09-27
[4]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
胡敏锐 ;
吴楠 ;
郑玉宏 ;
黎冠杰 ;
蒋懿 .
中国专利 :CN120730730A ,2025-09-30
[5]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN115036272A ,2022-09-09
[6]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
袁盼 .
中国专利 :CN117790406A ,2024-03-29
[7]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
朱留洋 .
中国专利 :CN115020344A ,2022-09-06
[8]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
曹新满 ;
吴耆贤 ;
黄炜 .
中国专利 :CN117995758A ,2024-05-07
[9]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
武宏发 ;
夏军 ;
孙耀 ;
崔静思 .
中国专利 :CN115064486A ,2022-09-16
[10]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
武宏发 ;
夏军 ;
孙耀 ;
金永跃 ;
李昊 .
中国专利 :CN115116945A ,2022-09-27