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半导体结构的形成方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011056573.8
申请日：
2020-09-30
公开(公告)号：
CN114334791B
公开(公告)日：
2024-10-25
发明(设计)人：
高上
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-25 | 授权 | 授权 |