半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211255598.X

申请日：

2022-10-13

公开(公告)号：

CN117939888A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

黄兴凯边雅娜

申请人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H10B41/00

IPC分类号：

H10B69/00 H01L21/321

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

唐嘉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/00申请日:20221013
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

冯永波 ;

朱红波 ;

王厚有 ;

刘益东 .

中国专利 :CN111446156A ,2020-07-24

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

汪刘建 ;

李政宁 ;

陈子钊 .

中国专利 :CN117855270A ,2024-04-09

[3]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

高上 .

中国专利 :CN114334791B ,2024-10-25

[4]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

高上 .

中国专利 :CN114334791A ,2022-04-12

[5]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

汪刘建 ;

陈子钊 .

中国专利 :CN117790502A ,2024-03-29

[6]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136A ,2025-02-18

[7]

半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置 [P].

王阳 ;

蔺黎 ;

徐蓓华 ;

钟怡 ;

董天化 ;

曾红林 .

中国专利 :CN119486136B ,2025-10-10

[8]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN113013323A ,2021-06-22

[9]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘晓阳 .

中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114446869B ,2024-06-07

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