半导体结构的形成方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610150312.6

申请日：

2006-10-26

公开(公告)号：

CN100550316C

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

蔡方文陈奕伊吴振诚林志隆包天一郑双铭余振华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2007-10-31	公开	公开
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

于有权 ;

吴公一 ;

张仕然 .

中国专利 :CN114284202B ,2025-01-10

[2]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

于有权 ;

吴公一 ;

张仕然 .

中国专利 :CN114284202A ,2022-04-05

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

金志勋 ;

白国斌 ;

高建峰 ;

王桂磊 ;

丁云凌 ;

崔恒玮 .

中国专利 :CN114695313B ,2025-11-11

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103165522A ,2013-06-19

[5]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

金志勋 ;

白国斌 ;

高建峰 ;

王桂磊 ;

丁云凌 ;

崔恒玮 .

中国专利 :CN114695313A ,2022-07-01

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114678330A ,2022-06-28

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

刘中伟 ;

柯宇伦 ;

邱意为 .

中国专利 :CN110783271A ,2020-02-11

[8]

半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989B ,2024-10-29

[9]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘晓阳 .

中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114446869B ,2024-06-07

← 1 2 3 4 5 →