半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910696415.X

申请日：

2019-07-30

公开(公告)号：

CN110783271A

公开(公告)日：

2020-02-11

发明(设计)人：

刘中伟柯宇伦邱意为

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张福根;付文川

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	公开	公开
2022-01-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请公布日:20200211

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

彭羽筠 .

中国专利 :CN110660640A ,2020-01-07

[2]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

蔡方文 ;

陈奕伊 ;

吴振诚 ;

林志隆 ;

包天一 ;

郑双铭 ;

余振华 .

中国专利 :CN100550316C ,2007-10-31

[3]

半导体装置的形成方法 [P].

赖德洋 ;

彭峻彦 ;

杨世海 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113206044A ,2021-08-03

[4]

半导体结构和形成方法 [P].

S·A·科恩 ;

A·格里尔 ;

T·J·小黑格 ;

刘小虎 ;

S·V·源 ;

T·M·肖 ;

H·肖芭 .

中国专利 :CN101958311A ,2011-01-26

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘中伟 ;

邱意为 ;

沈柏志 .

中国专利 :CN110648961A ,2020-01-03

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

于海龙 ;

荆学珍 .

中国专利 :CN113745149A ,2021-12-03

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

颜甫庭 ;

陈婷婷 ;

彭羽筠 ;

林耕竹 .

中国专利 :CN112509972A ,2021-03-16

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

邓新莲 .

中国专利 :CN119372630A ,2025-01-28

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

师兰芳 ;

甘露 ;

郑春生 ;

张文广 ;

吴威威 .

中国专利 :CN114724923A ,2022-07-08

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

余振华 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN101188210A ,2008-05-28

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