半导体结构的形成方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610150312.6

申请日：

2006-10-26

公开(公告)号：

CN100550316C

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

蔡方文陈奕伊吴振诚林志隆包天一郑双铭余振华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2007-10-31	公开	公开
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[41]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113314595A ,2021-08-27

[42]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李志林 .

中国专利 :CN113496993A ,2021-10-12

[43]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

汪刘建 .

中国专利 :CN117790506A ,2024-03-29

[44]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

王胜 .

中国专利 :CN113690313A ,2021-11-23

[45]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

杨成成 .

中国专利 :CN113851579A ,2021-12-28

[46]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

苏博 .

中国专利 :CN113690138A ,2021-11-23

[47]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

韩静利 ;

于海龙 .

中国专利 :CN117855256A ,2024-04-09

[48]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

张东雪 ;

林格伟 .

中国专利 :CN113053805B ,2021-06-29

[49]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

廖楚贤 ;

朱煜寒 ;

应战 .

中国专利 :CN113937058B ,2022-01-14

[50]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

盛薄辉 ;

王雪菲 .

中国专利 :CN115497822A ,2022-12-20

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