半导体结构的形成方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610150312.6

申请日：

2006-10-26

公开(公告)号：

CN100550316C

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

蔡方文陈奕伊吴振诚林志隆包天一郑双铭余振华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2007-10-31	公开	公开
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[21]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

于业笑 .

中国专利 :CN113964089B ,2024-05-17

[22]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

汪刘建 .

中国专利 :CN117790505A ,2024-03-29

[23]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

周烽 ;

毛格 ;

胡凯 ;

万先进 .

中国专利 :CN109841566A ,2019-06-04

[24]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

冯永波 ;

朱红波 ;

王厚有 ;

刘益东 .

中国专利 :CN111446156A ,2020-07-24

[25]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

吴承恩 .

中国专利 :CN113990870A ,2022-01-28

[26]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

华文宇 ;

丁潇 .

中国专利 :CN116193853B ,2025-09-05

[27]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

章毅 .

中国专利 :CN113497144A ,2021-10-12

[28]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李哲轩 ;

任堃 ;

高大为 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN119028809A ,2024-11-26

[29]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN113675089B ,2024-09-17

[30]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李强 .

中国专利 :CN113808996B ,2025-09-16

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