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半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310208729.7
申请日：
2023-02-28
公开(公告)号：
CN116193853B
公开(公告)日：
2025-09-05
发明(设计)人：
华文宇 丁潇
申请人：
芯盟科技有限公司
申请人地址：
314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-05 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
刘晓阳 .
中国专利 :CN117956783A ,2024-04-30
[2]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN114678330A ,2022-06-28
[3]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
张毅俊 ;
苏博 .
中国专利 :CN118299404A ,2024-07-05
[4]
半导体结构及半导体结构形成方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118486692A ,2024-08-13
[5]
半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P]. 
吴保磊 ;
王晓光 .
中国专利 :CN114695355A ,2022-07-01
[6]
半导体结构的形成方法和半导体结构 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN105448680A ,2016-03-30
[7]
半导体结构的形成方法及半导体结构 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN114446869B ,2024-06-07
[8]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
甘露 ;
郑春生 ;
师兰芳 ;
张文广 ;
张华 .
中国专利 :CN113496874B ,2024-04-19
[9]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN113314601A ,2021-08-27
[10]
半导体结构及半导体结构的形成方法 [P]. 
神兆旭 ;
李阳 ;
郭俊伟 ;
尹悦 .
中国专利 :CN117954420A ,2024-04-30
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